定义：材料传导热量的能力，数值越大，导热越快，散热效率越高。
意义：决定高功率芯片散热能力，直接影响结温、功率密度与寿命；热导率不足会导致芯片过热、性能下降、寿命缩短甚至烧毁。
影响因素：材料体系（AlN>Si₃N₄>Al₂O₃> 玻璃陶瓷）、纯度（纯度越高，缺陷越少，导热越高）、致密度（致密度越高，孔隙越少，导热越高）、晶粒尺寸（晶粒越大，晶界越少，导热越高）。
典型数值：Al₂O₃（96%）：20～30；AlN（高导）：180～220；Si₃N₄：80～120；玻璃陶瓷：1～5。
定义：介电常数衡量材料储存电场能量的能力；损耗正切衡量材料在交变电场下的能量损耗，数值越小，高频损耗越低，信号完整性越好。
意义：决定高频 / 射频信号传输效率与质量；介电常数过高会导致信号延迟增大、阻抗匹配困难；损耗正切过大会导致信号衰减严重、噪声增加。
影响因素：材料体系（玻璃陶瓷 < Al₂O₃<AlN<Si₃N₄）、纯度、致密度、频率（频率越高，损耗越大）。
典型数值（10GHz）：Al₂O₃：εr=9.8，tanδ=0.001～0.002；AlN：εr=8.9，tanδ=0.0005～0.001；玻璃陶瓷：εr=4～6，tanδ=0.0001～0.0005。
定义：材料随温度变化的尺寸伸缩率，数值越小，热稳定性越好，与芯片 CTE 匹配度越高，热应力越小。
意义：决定芯片与基板界面热应力大小；CTE 差异过大会导致翘曲、焊点疲劳、开裂甚至失效，尤其大尺寸、多芯片封装场景影响显著。
影响因素：材料体系（AlN<Si₃N₄<Al₂O₃< 玻璃陶瓷）、配方、工艺、层压结构。
典型数值（25～100℃）：Al₂O₃：6～8；AlN：4～5；Si₃N₄：3～4；玻璃陶瓷：5～7；硅芯片：2.6；碳化硅：4.0。
定义：材料能承受的最大电场强度，超过则发生击穿漏电，数值越大，绝缘性能越好，耐压能力越强。
意义：决定高压电路安全工作电压；绝缘耐压不足会导致击穿、漏电、短路甚至火灾，尤其新能源汽车、工业电源等高压场景至关重要。
影响因素：材料纯度、致密度、厚度、表面状态、环境湿度（湿度越高，绝缘耐压越低）。
典型数值：Al₂O₃：10～15；AlN：8～12；Si₃N₄：12～18；玻璃陶瓷：5～10。
定义：材料抵抗弯曲破坏的能力，数值越大，机械强度越高，抗振动、抗冲击能力越强。
意义：决定基板抗机械损伤能力；机械强度不足会导致运输、组装、使用过程中开裂、破损，尤其薄型化、大尺寸基板风险更高。
影响因素：材料体系（Si₃N₄>AlN>Al₂O₃> 玻璃陶瓷）、纯度、致密度、晶粒尺寸、层压结构。
典型数值：Al₂O₃：300～400；AlN：250～350；Si₃N₄：600～800；玻璃陶瓷：100～200。
定义：材料在规定环境条件下长期稳定工作的能力，是实际应用的核心保障。
意义：决定电子设备使用寿命与稳定性；可靠性不足会导致早期失效、故障率升高、维护成本增加，甚至引发安全事故。
关键测试：高温老化（150℃/1000h）、热循环（-55℃～125℃，1000 次）、湿热（85℃/85% RH，1000h）、振动（10～2000Hz，随机振动）。
典型要求：军工 / 航空航天：1000 次热循环无失效；汽车电子（AEC-Q200）：-40℃～125℃，500 次热循环；消费电子：-20℃～85℃，200 次热循环。
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